技术编号:37222782
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文中所揭示的实施例涉及包含垂直晶体管的半导体装置及相关方法。更特定来说,本发明的实施例涉及包含垂直晶体管的装置及相关方法,所述垂直晶体管包含由栅极电介质材料包围的栅极电极,且具有安置于所述栅极电介质材料的侧上的沟道区域,所述栅极电极定位于所述沟道区域之间。背景技术、半导体装置的制造包含形成可用于存取(例如)半导体装置的存储器单元的存储组件的晶体管。所述晶体管包含沟道区域,所述沟道区域包括经配制及配置以响应于施加阈值电压而传导电流且在不存在所述阈值电压的情况下阻碍电流流动的半导体材料。、在包...
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