技术编号:37234390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及一种半导体装置。背景技术、一直以来,已知通过针对微细化的对策,将nmos(n-channel metal-oxidesemiconductor,n型金属氧化物半导体)与pmos(p-channel metal-oxide semiconductor,p型金属氧化物半导体)的晶体管积层而以三维电路构成。然而,即便将nmos与pmos的晶体管一层一层地积层,衬底每单位面积的元件密度仍有可能较小。技术实现思路、一实施方式提供一种使衬底每单位面积的元件密度及布局的自由度提高的半导...
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