技术编号:37242708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学器件领域,具体涉及一种基于金属纳米阵列增强发光的窄带可调谐硅量子点发光二极管结构。背景技术、量子点(qd)具有可调的光电特性,可用作发光二极管的有源层。典型的量子点是使用有毒的稀有金属,如镉(cd)、铟(in)和铅(pb),使得其发展和应用有很大的局限性。硅量子点(si qds)因其资源丰度性、生物相容性、与硅基电子产品的兼容性以及其具有优秀的发光特性,成为了一个理想的选择。、目前制备出的硅量子点发光二极管(si qd-led)已经具备了高达.%的外量子效率(eqe),但是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。