技术编号:37281297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体,特别涉及一种磁性存储结构、磁性存储阵列结构及其控制方法及存储器。背景技术、磁性随机存储器(mram,magnetic random access memory)是一种新型固态非易失性记忆体,具有高速读写的特性,利用磁性隧道结(mtj,magnetic tunnel junction)的特性形成。其中,mram靠磁场极化而非电荷以存储数据,mtj由自由层、隧穿层、固定层组成,自由层的磁场方向可以改变,固定层的磁场方向不变,当自由层与固定层的磁场方向相同时,mtj呈现低电阻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。