技术编号:37295436
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体,尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器。背景技术、感应裕度(sensing margin)是动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory,dram)的重要特性参数之一。目前,随着dram器件尺寸不断缩小,感应裕度变差,限制了存储器性能的进一步提高。技术实现思路、本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器,能够减小位线电容,提高器件的感应裕度。、第一方面,本公开实施例提供了一种半导体结构,包括:、衬底;、形成于所述...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。