技术编号:37345851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体装备,尤其涉及一种等离子体侧线圈调整结构及半导体设备。背景技术、随着芯片的器件尺寸减小,在沉积.um(a)以下的沟槽时,pecvd不再具备很好的台阶覆盖性,经常会形成夹断,而有空洞。主要是因为间隙开口处和间隙底部的淀积率不同而造成的,为了解决pecvd淀积空洞的问题,hdp(高密度等离子体)就应用而生了。、在初始淀积完成部分填孔洞尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙入口,之后再次淀积以完成对整个间隙的填充。hdp工艺最核心的控制参数就是d/s,d为沉积速...
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