技术编号：37352393
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及散热，尤其涉及一种相变散热器及散热系统。背景技术、随着新能源电力的高速发展，igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)芯片等功率的提升，芯片的发热量也越来越大，对散热的要求也越来越高，而现有的模组散热器的散热效率已经无法满足igbt芯片高功率工作运行的需求。、因此，如何提高散热器的散热效率，以满足igbt芯片高功率工作运行的需求，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。技术实现思路、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种相变散热器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。