技术编号:37354796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,具体涉及一种多晶硅薄膜及其制备方法。背景技术、多晶硅薄膜既具有晶体硅的电学特性,又具有非晶硅薄膜成本低、设备简单且可以大面积制备等优点,因此,多晶硅薄膜不仅在集成电路和液晶显示领域已经有广泛应用,而且在太阳能光电转换方面,人们也做了大量研究,寄予了极大的希望。多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低,效率稳定性好、光电转换效率高,多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造,其用途从栅极材料和互联引线发展到绝...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。