技术编号：37363839
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体，具体涉及一种功率mosfet器件结构及其制造方法。背景技术、现代电力电子装置正朝着高功率密度和高效率的方向发展。碳化硅功率器件因其卓越的高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，近年来在高效电能转换领域得到了迅速发展。碳化硅器件的卓越性能来自于碳化硅材料的宽禁带特征，使碳化硅器件可以承受很高的反向偏压。碳化硅器件的终端受pn结边缘电场的集中效应的限制，通常会远小于材料所预期的理论值，如何设计碳化硅器件的终端结构尽可能缓解边缘电场的集中效应就成为高击穿电压碳化硅器件研发的一个关键...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。