技术编号：37397304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及半导体制造，特别涉及一种涂胶补液装置。背景技术、光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、x射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。按曝光光源和辐射源的不同，光刻胶可分为g/i线光刻胶、krf光刻胶、arf光刻胶、euv光刻胶等。、光刻胶的粘度是其一重要的特性参数，该参数衡量光刻胶的流动特性，黏滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；粘...
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