技术编号:37408505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备,特别涉及一种温度控制系统、化学气相沉积设备及方法。背景技术、在半导体制造业,化学气相沉积(cvd)是一种在基片上形成薄膜材料的公知工艺。通常,cvd工艺在高温下进行,待沉积的材料的前驱气态分子被提供给基片,以进行化学反应并产生高质量的薄膜。、在cvd工艺期间,必须仔细控制各种工艺参数,以确保在半导体处理中产生高质量沉积层。一个关键参数是基片处理的每个步骤中的基片表面的温度分布。因为沉积气体在特定温度下反应并沉积在基片上,基片温度决定了基片上材料沉积的速率与质量。如果基片...
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