技术编号：37424238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底处理装置、等离子体生成装置、等离子体生成方法、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质。背景技术、作为半导体器件(元件)的制造工序的一个工序，有时会进行向衬底处理装置的处理室内搬入衬底、并向处理室内供给原料气体和反应气体来在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜或除去各种膜的衬底处理。、在形成微细图案的量产元件中，为了抑制杂质扩散、确保能够使用有机材料等耐热性低的材料而有时要谋求低温化。、现有技术文献、专利文献、专利文献：日本特开-号公报技术...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。