技术编号：37426314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅材料，具体为一种硅氧化物膜的成膜方法。背景技术、硅化合物具有独特的理化性能，在电化学能源、超疏水材料、微电子领域等方面有广泛的应用；采用新型高效的方法制备高纯度的硅化合物是研究热点，如专利cnb公开了以包括双(六甲基二硅叠氮)钙或双(六甲基二硅叠氮)锶作为无氯催化剂，催化甲硅烷与二异丙胺的脱氢偶联反应制得二异丙胺硅烷。氧化硅薄膜具有很好的耐磨性、绝缘性、耐化学性、透光性广泛应用在微电子、抗腐蚀等领域，目前制备氧化硅薄膜的方法主要是以二异丙胺硅烷、六甲基二硅氧烷等作...
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