技术编号:37445740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。背景技术、体硅cmos(complementary metal oxide semiconductor,互补金属氧化物半导体)器件在进入到nm技术节点时,对电流的控制能力明显降低,其漏电流的响应明显提升。为进一步延续摩尔定律,研究人员相继提出了finfet(fin field-effect transistor,鳍式场效应晶体管)和fd-soi(全耗尽型绝缘体上硅)的概念。与finfet器件相比,fd-soi技术拥有诸多优势,包括:无需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。