技术编号:37498642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体设备领域,尤其涉及半导体离子薄膜材料的制备装置、方法及薄膜材料。背景技术、半导体离子膜是指由半导体材料形成的离子薄膜,随着制备半导体离子薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶、多晶和无定形薄膜。、半导体离子薄膜材料的原子排列取向是随机分布的。通过磁控溅射的工艺制备的薄膜材料在基板上按磁场分布的磁力线密度进行排列,在基板边界处由于磁力线分布稀疏,导致沉积在基板上的原子形成的半导体离子薄膜材料存在着大量缺陷,其中间部分和边缘部分具有不同的电学和光学特性,导致其物理特性和化学特性不统一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。