技术编号：37522205
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子集成，具体的说是一种高集成度低串扰薄膜铌酸锂电光调制器阵列。背景技术、薄膜铌酸锂材料解决了传统铌酸锂体材料波导折射率差小的问题，波导尺寸小，集成度高，此外能够实现更强的模式限制，使电极更靠近波导，从而提高调制效率。当采用硅或石英衬底时介电常数比传统铌酸锂低，降低了微波有效折射率，更容易实现与光波的相位匹配。也就是说，基于薄膜铌酸锂材料的调制器能够实现高调制带宽和低半波电压。同时由于铌酸锂刻蚀技术的进步，以及更高质量模斑转换器的实现，基于薄膜铌酸锂材料的调制器的插入损耗也达到了传...
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