技术编号:37544124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及电子电路,尤其涉及一种米勒钳位驱动电路及半桥电路系统。背景技术、目前,高功率半桥电路系统一般采用mos管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor,绝缘栅双极晶体管)或氮化镓高电子迁移率晶体管等开关管作为功率器件,并使用驱动电阻来控制功率器件的开关速度。考虑到系统性能和系统稳定性,功率器件的开关速度往往需要分别调整以达...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。