技术编号：37580683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种半导体外延的实现方法及半导体器件。背景技术、图像传感器通过像素区域感光单元感知外界的光学信号，因而对像素矩阵周边的光信号非常敏感，此外，周边大功率器件工作中散发的热量也会产生红外辐射，这些噪声信号都容易使像素区域边缘感光，引起图像异常。、为了防止这种情况，现有的方案中，通常会在像素矩阵的外围周边布置金属遮蔽层，以屏蔽外围的电磁波信号干扰。但是，金属层的材料通常与半导体衬底的应变系数差异较大，容易产生应力。如果应力过大，很容易导致晶圆弯曲和器件异常，使得后续的工艺...
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