技术编号：37596404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于功率器件，尤其涉及一种屏蔽栅mos器件及其制备方法、芯片。背景技术、屏蔽栅极沟槽(shield gate trench，sgt)结构金属氧化物半导体(metal oxidesemiconductor，mos)器件作为开关器件广泛应用于电源管理系统，是核心的功率控制部件。sgtmos器件的栅极结构包括位于深沟槽中的屏蔽多晶硅结构和多晶硅栅结构，其中该屏蔽多晶硅结构位于深沟槽的下部，多晶硅栅结构位于深沟槽的上部。屏蔽多晶硅结构、多晶硅栅结构和深沟槽之间相互隔离。该有源区的顶层形成沟道区，...
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