技术编号:37620403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池,涉及一种超薄氮化硅和氮化碳双面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法。背景技术、晶体硅太阳电池兼具光电转换效率高、成本低、稳定性高、技术成熟等优点,一直是光伏发电的主流技术,占据%的市场份额。在目前其他太阳电池技术尚未取得重大突破的情况下,晶体硅太阳电池仍将长期保持主导地位。坚持高性能晶体硅太阳电池的研发,推动太阳电池产业技术升级换代,对增强光伏发电竞争力、促进中国及世界能源结构转型具有重要意义。、钝化接触技术是近年来快速发展的新型晶体硅太阳电池技术,可以避免perc(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。