技术编号:37672694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种提高覆铜陶瓷基板剥离强度可靠性的制备方法。背景技术、随着功率半导体向高功率、小型化方向发展,对封装模块的性能要求也越来越高,覆铜陶瓷基板因其优良的机械性能、导热性能、绝缘性能等,成为在功率电子器件中最常用的封装材料之一,在igbt中起着机械互连和电气导通的作用,因此覆铜陶瓷基板的可靠性在igbt中起着至关重要的作用。、目前覆铜陶瓷基板所用的陶瓷的制备方法都是通过制浆、流延、排胶、烧结及表面处理,陶瓷本身属于一种脆硬性材料,烧结完成后的陶瓷片因表面的缺陷、粗糙度等...
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