技术编号:37781717
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抛光,具体涉及一种碳化硅衬底化学机械平坦化的方法。背景技术、随着半导体技术的发展,硅衬底材料已经不能满足功能器件和射频器件等领域的需求。而相较于硅衬底的功率器件而言,以碳化硅为衬底制成的功率器件具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势,可实现功率模块的小型化、轻量化。、衬底材料在减薄后要采用化学机械平坦化(cmp)的方法保证全局平坦化。而目前本领域在碳化硅cmp中,常先采用氧化铝抛光液硬质抛光垫(邵氏硬度为hd)进行粗抛,而后采用氧化铝与二氧化硅混合抛光液软质抛光垫...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。