技术编号：37852833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及sic晶片的制造装置，该sic晶片的制造装置用于在由碳化硅(以下，也仅称作sic)构成并且具有偏离角的晶种基板(seed substrate)上生长外延层来制造sic晶片。背景技术、以往，提出有在由sic构成并且具有偏离角的晶种基板上生长外延层来构成sic晶片。另外，在使外延层在由sic构成的晶种基板上生长的情况下，报告有外延层进行台阶流动生长。并且，在使外延层在具有偏离角的晶种基板上生长的情况下，报告有在台阶流动生长方向的上游侧容易产生含有凹凸的缺陷。、而且，在sic晶片产生了包...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。