技术编号：37858179
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳加工与光电领域。具体地，本发明涉及铌酸锂纳米结构及其制备方法和应用。背景技术、铌酸锂单晶材料因具有独特的光电、压电和铁电等特性，在声表面波器件、光电调制器、非线性频率转换等领域有着广泛的应用。与没有刻蚀的薄膜铌酸锂材料相比，将铌酸锂薄膜表面刻蚀成纳米结构有着更好非线性频率转换增强能力，且超表面侧边的倾斜角越高，非线性效率会越好。但是对于高倾斜角的铌酸锂纳米结构的加工仍然是一个国际难题。、通常对于铌酸锂纳米结构的制造，可以使用微机械加工、激光加工刻蚀、干法刻蚀、湿法刻蚀。其中湿法...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。