技术编号:37858380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。背景技术、在发光二极管中,由于空穴的浓度和迁移速率都远小于电子,因此注入到多量子阱发光区的空穴浓度远小于电子浓度,空穴主要集中分布在靠近p型层的少数几个量子阱中,导致实际发光的量子阱数量少,而且电子可以很轻易的越过有源区进入到p型层中造成电子泄漏,影响发光二极管的性能。因此需要提高p型层的掺杂浓度,从而提高注入多量子阱发光区的空穴浓度,但是由于p型gan中的mg受主的能级较深,约为mev,室温下mg的电离率只有%左...
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