技术编号:37869364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文公开的实施例涉及微电子装置设计和制造的领域。更特别地,本公开的实施例涉及包含堆叠水平电容器结构的设备,并且涉及相关存储器装置和电子系统,并且涉及形成所述设备的方法。背景技术、集成电路制造的持续目标是增加集成密度。动态随机存取存储器(dram)利用dram电容器来存储一定量的电荷,所述电荷代表存储位的逻辑值。一些dram电容器包含容器形电容器,其一个电极被成形为容器,而单元介电材料和另一电极仅在容器的内部(例如,单侧孔电容器)或仅在容器的外部(例如,单侧柱状电容器)或在容器的内部和外部(例如...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。