技术编号：37905036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，具体涉及一种存储器结构及其形成方法。背景技术、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。集成电路发展过程中，通常功能密度逐渐增加的同时，几何尺寸逐渐减小，增加了集成电路制造的难度和复杂度。、闪存作为当今主流的存储载体得到迅速的推广，其技术也得到了迅猛的发展。闪存分为或非(not or，nor)型闪存和与非(...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。