技术编号：37906472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加热处理装置和加热处理方法。背景技术、在半导体器件的制造工序中，针对例如形成有抗蚀剂膜等涂敷膜的基板、例如半导体晶圆(在以下的说明中，存在简称为晶圆的情况)，为了使所述涂敷膜干燥，对该半导体晶圆进行了加热处理。、这样的加热处理以往以来使用加热处理装置来进行，但在加热时，影响膜厚的均匀性，因此，要求均匀地加热。、考虑到这点，以往的加热处理装置具备：载置台，其载置基板；壳体，其收容该载置台而形成处理空间；闸门构件，其以包围所述载置台的方式设置到所述载置台的周围；升降机构，其使该闸门构...
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