技术编号:37931426
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是属于新材料领域,主要是关于一维mxene材料及其制备方法和应用。背景技术、,gogotsi首次采用hf刻蚀tialc得到tic,一类二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,由于其和石墨烯graphene类似,便取名mxene。其化学式一般记为mnxntx(m是过渡金属,包括ti、v、cr、y、sc、zr、nb、mo、hf、ta、w),x是c和(或)n,n=,或,t是表面官能团。mxene独特的晶体性质、层状结构、较高的金属导电性和表面丰富的官能团使得mxene在...
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