技术编号：37961294
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于输料装置的，尤其涉及一种高纯五氯化钽稳定输送装置。背景技术、在半导体cvd外延生产体系中，用到多种高纯度、易腐蚀气体，同时生长温度高达-℃，对于普通sic涂层石墨件，难以在如此苛刻的环境下长期可靠使用，导致生产成本高、良率低。、碳化钽(tac)是一种重要的高强度、耐腐蚀和化学稳定性好的高温结构材料，气熔点高达℃，是耐温最高的几种化合物之一。因此，半导体cvd工艺中，tac涂层石墨基座/加热器具有优越性和不可替代性。、目前高纯tac涂层工艺主要为cvd法，主...
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