技术编号：38071939
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及微机电(mems)，尤其涉及一种横向电场激励谐振器及其制造方法。背景技术、电场对压电材料的激励分为横向电场激励(lateralfieldexcitation，lfe)和厚度电场激励(thicknessfieldexcitation，tfe)。、横向电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向平行，即，电场的激励方向相对于压电材料的表面而言是横向。厚度电场激励是指，电极之间产生的电场方向与压电材料表面的方向垂直，即，电场的激励方向沿着压电材料的厚度方向。、应该注意，上面...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。