技术编号:38072587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利文献涉及存储电路或存储器件以及它们在半导体器件或半导体系统中的应用。背景技术、近来电气与电子工业中朝着小型化、低功耗、高性能以及多功能化的发展趋势已经迫使半导体制造商专注于高性能、高容量的半导体器件。这种高性能、高容量的半导体器件的示例包括可以通过根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换来储存数据的存储器件。半导体器件可以包括rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)以及电熔丝(e-fuse)。技...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。