技术编号：38121092
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体制造的组合物、更具体地、用于半导体的图案化工艺的组合物，以及电子装置的制造。背景技术、极紫外(“euv”)光刻是替代光学光刻的领先技术选择之一，用于特征尺寸小于nm的体积半导体制造。euv极短的波长(.nm)是用于实现这样的高分辨率的关键促成因素。整体的工艺系统概念如扫描暴露、投影光学、掩模格式和抗蚀剂技术可能与当前光学光刻技术所使用的类似。然而，euv成像(即图案化)中的关键挑战是抗蚀剂灵敏度，例如，灵敏度越低，euv源功率越大，或者完全暴露抗蚀剂所需的暴露时间...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。