技术编号:38146200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,具体涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术、互补式金属氧化物半导体(cmos,complementary metal oxide semiconductor)器件制造工艺随着关键尺寸的不断缩小,金属硅化物阻挡层(sab,salicide block)也由传统的氧化硅层过渡到了氧化硅叠加氮化硅的叠层。氮化硅层在淀积时,由于使用到的是氨气(nh)等含氮(n)元素的反应气体,会造成最终形成的金属硅化物阻挡层中掺杂有大量的氮元素。在后续的制程中需要在前述的金属硅化物阻挡层上涂覆光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。