技术编号：38321538
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，特别地涉及一种iii-v族半导体超结器件及其制造方法。背景技术、硅的超结结构是指采用交替的pn结构替代传统功率器件中单一低掺杂漂移区作为耐压层。n柱和p柱具有接近一致的掺杂量。、图是现有技术中超结结构示意图。其中电极为漏极，电极为栅极，电极为源极，为氧化层。在这之中，n代表n型轻掺杂区，n代表n型重掺杂区，p代表p型轻掺杂区，p代表p型重掺杂区。其中n区和p区形成了超结结构。、如图所示，在截止状态下，依靠p/n柱之间的电荷补偿，超结中...
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