技术编号：38349886
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术的领域，并且更具体地，涉及存储器装置及其制作方法。背景技术、三维(d)存储器装置(例如d nand存储器装置)是有前景的存储器装置，其有着具有比常规平面存储器高得多的存储密度的潜力，并且可以满足消费者电子设备、云计算和大数据对更大容量和更佳性能的不断增长的需求。d存储器装置通常在单一的芯片中包括多个堆叠层以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更佳的成本效率。技术实现思路、根据本公开，提供了一种存储器装置制作方法，包括：提供半导体结构。半导体结构具有沿...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。