技术编号：38382565
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体处理用组合物及使用其的处理方法。背景技术、在有效用于制造半导体装置的化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)中所使用的化学机械研磨用分散体(以下，也称为“cmp浆料”)中，除研磨粒以外，也含有蚀刻剂等化学药品，因此在cmp后需要利用清洗用组合物对被处理体的表面进行清洗的工序。、在被处理体的表面露出有铜或钨、钴等金属布线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻挡金属材料等。在此种异种材料共存于被处理体的表面的情况下，需要在研磨后从...
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