技术编号：38460977
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及形成外延层的方法。更具体地，本公开涉及在衬底上外延形成磷掺杂硅层的方法、由其获得的场效应晶体管以及用于在衬底上形成磷掺杂外延硅层的衬底处理设备。背景技术、随着半导体工业的进步，层的外延生长，特别是在较低处理温度下，可能变得更加重要。这可能是由于各种新颖的集成方案，例如器件的d堆叠、掩埋电源轨(bpr)集成、源极/漏极接触层的形成和高k/金属栅极优先集成方案。、低温外延膜生长带来的挑战可能与层的缺陷形成和外延击穿有关，这可能导致电性能差的非晶材料。此外，低温外延在保持对介电层的选择...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。