技术编号：38521769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶片承载装置、等离子体处理装置及其温度控制方法。背景技术、等离子体处理装置中常采用静电卡盘(esc)来支撑晶片，对静电卡盘进行承载的基座内布置有冷却液的流道和氦气的输送管路；通过等离子体对晶片进行刻蚀等工艺处理的过程中，利用输送到晶片背面的氦气，以及静电卡盘与基座之间的热传导作用，对晶片的温度高低和温度均匀性实现调控。然而，射频功率越高，晶片温度越高，且晶片温度分布越不均匀，存在晶片中间温度低，边缘温度高的情况。一般在静电卡盘边缘设置较高的气体压力和较低的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。