技术编号:3860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型公开了一种用于生长金刚石单晶的新型籽晶托盘,用于微波等离子体化学气相沉积装置的谐振腔腔体内,置于谐振腔腔体内的基台上,托盘的中心端面开设有凹坑,所述凹坑出口端与托盘端面所在水平面是由斜面过渡连接,所述凹坑大于等于1个,本实用新型是将托盘中心设计成一种凹坑,在金刚石生长过程中能够降低电磁场的不连续性,抑制籽晶边缘处的过快生长,提高金刚石单晶的品质。专利说明 一种用于生长金刚石单晶的新型籽晶托盘 技术领域 [0001]本实用新型涉及一种用于生长金刚石单晶的新型籽晶托盘,尤其是涉及一种用于微波等离子...
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