技术编号：38684179
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及微电子封装，特别是涉及一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件。背景技术、功率器件目前广泛应用在通讯、军事、交通等多个领域，随着新一代宽禁带半导体材料（如碳化硅、氮化镓）的应用，功率器件的热管理问题成为了制约其发展的主要因素。一般高电子迁移率晶体管基片的发热特性为热点形式发热，且热点尺寸在数微米到数百微米之间，其总热功率较小，热流密度极高，通常需要在衬底上将热量扩散开以进行散热。、蒸汽腔利用气体的横向扩散能力，可以实现极高的等效热导率，具有优异的平面热扩散能力，因此广泛的应...
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