技术编号：38701517
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种阱区离子注入方法。背景技术、当代的半导体器件制造工艺需要通过高能离子注入的方式完成阱离子的掺杂。由于阱离子掺杂能量较高，往往需要较厚的光刻胶作为掩蔽层。当高能离子注入到光刻胶边缘时，会从光刻胶侧壁横向散射到器件沟道中，进而导致阱边缘区器件沟道掺杂浓度的提高，最终导致器件阈值电压绝对值的升高及其他电性参数的漂移，并由此诱发了阱邻近效应(全称well proximity effect，简称wpe)。、阱邻近效应在.μm技术节点时已引起技术人员的关注，随...
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