技术编号:38760608
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于掺杂工程和赝电容超级电容器制造领域,具体涉及一种在泡沫镍上直接生长zn掺杂cop纳米棒赝电容超级电容器电极材料的制备方法。背景技术、随着对可再生能源需求的不断增加和全球环境问题的日益严峻,近年来人们对高效储能设备的开发投入了巨大的精力。超级电容器具有充放电速率快、功率密度高、寿命长等优点,是有潜力的储能候选器件。可适用于大功率电子器件、应急电源和混合动力汽车等不同的类型中。根据其电荷存储机理和电极性质,可分为赝电容器和电化学双层电容器(edlcs)。edlcs 通过纯物理过程中的离子...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。