技术编号：38851576
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式之一涉及半导体器件。背景技术、近来，代替非晶硅、低温多晶硅及单晶硅而将氧化物半导体用于沟道的晶体管的开发在不断发展(例如，专利文献及)。氧化物半导体用于沟道的晶体管与非晶硅用于沟道的晶体管同样地，以简单的构造且以低温工艺形成。已知与非晶硅用于沟道的晶体管相比，氧化物半导体用于沟道的晶体管具有更高的移动度，截止电流非常低。、近年来，显示装置的像素尺寸缩小化在不断发展。与像素尺寸的缩小化相伴，正在研究布线宽度、晶体管尺寸的缩小化。但是，上述缩小化存在极限，起因于构成像素电路的...
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