技术编号:38958994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种金半接触结构、太阳电池及光伏组件。背景技术、在太阳电池中,金属电极与掺杂半导体层之间的接触性能对于太阳电池的光电转换效率等电性能指标具有重要影响。金属电极与掺杂半导体层的接触位置往往会导致载流子复合现象明显,电流损失较多,限制太阳电池的光电转换效率等电性能的进一步提升。技术实现思路、为了解决上述技术问题,本申请公开了一种金半接触结构,所述金半接触结构包括:、掺杂半导体层;、金属电极,与所述掺杂半导体层相互接触;、在所述掺杂半导体层与所述金属电极的接触...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。