技术编号：38974123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法，尤其涉及一种b相二氧化钒薄膜结构及其制备方法与应用。背景技术、磁控溅射时，首先利用真空泵将磁控溅射腔体内部调整至真空状态，然后通入溅射用气体与反应用气体，磁控溅射电源通电将气体电离至等离子态，由于溅射靶材与阴极接通后处于低电势状态，带电粒子ar将撞击靶材表面并激发出相应的靶材粒子，部分粒子在空间中运动后，沉积于下方衬底之上并逐步堆积形成薄膜，在此动态过程中，反应气体与靶材粒子发生反应，生成目标产物薄膜。、二氧化钒作为钒的四价氧化物，具有繁多...
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