技术编号：39062728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及胶体二氧化硅及其制造方法。背景技术、在半导体加工中的化学机械研磨工序中，需要使研磨后的基板表面达到纳米水平上的平滑化，在基板表面的平滑化不充分、即研磨后的基板表面粗糙的情况下，会引起布线的脱线或短路，其结果，半导体的电连接的可靠性受损，在功能上成为致命的缺陷。、特别是，随着半导体线宽的微细化进行，要求以更高精度使研磨后的基板表面平滑化。、已知研磨后的基板表面的粗糙度受到研磨浆料所含有的磨粒的粒径的影响，通常磨粒的粒径越大，研磨后的表面粗糙度越差(非专利文献)。还已知，作为磨粒，...
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