技术编号：39069484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于半导体，尤其涉及一种gan hemt的静态i-v模型建立方法。背景技术、作为第三代化合物半导体器件，氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt,gan highelectron mobility transistor)相比传统硅基器件具有更高的工作频率，更低的导通与损耗，以及更快的电子迁移率等特点，使其成为电力电子领域受欢迎的新一代功率器件。在进行电力电子电路设计与仿真时，高精度的功率器件模型，是优化电路结构、提高电路设计效率、缩短设计周期的关键。虽然传统硅基金属氧化物半导体场效应管...
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