技术编号:39271312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法。背景技术、对于双栅工艺的制造,先要完成高压氧化膜的生长,然后利用光刻胶对高压区进行保护,用湿法刻蚀完成低压区氧化膜的去除,此时由于光刻胶收缩或者劣化,极易发生翘曲,导致高压器件栅氧的侧边被酸液侧掏,栅氧变薄,影响到器件性能或者可靠性;、高压电容为pump电路中的核心器件之一,当其栅介质层例如栅氧被侧掏变薄后,其tddb(经时绝缘击穿,time dependent dielectric breakdown)性能及能承受的最大电压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。