技术编号：39295879
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳制造，具体涉及一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统结构及其制造方法。背景技术、nm及以下先进节点集成电路制造技术的开发仍是针对ai变革和数字化转型等应用场景对高算力、低功耗高端芯片迫切需求的主要解决方案，在国防安全、航空航天、信息领域、生物医疗等领域具有重要的研究价值和广阔的应用前景。其中，多电子束并行光刻由于具备高分辨率、高吞吐量、低制造成本等优势，是目前nm及以下工艺节点量产芯片掩膜制造环节的唯一解决方案。、在传统的高斯束、甚至是变形束（将不同形状的光阑，组合形成特...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。